前

及时章 真空镀膜概述

1.1 固态薄膜简介

1.2 真空镀膜简介

1.2.1 真空镀膜物理过程

1.2.2 真空镀膜的分类

1.2.3 真空镀膜的特点

1.3 真空镀膜技术的应用和发展

1.4 真空镀膜系统

1.4.1 真空镀膜系统的基本概念

1.4.2 真空泵

1.4.3 真空计

参考文献

第二章 真空镀膜成膜过程

2.1 薄膜生长简介

2.2 固体表面

2.3 薄膜生长过程

2.3.1 吸附

2.3.2 扩散和脱附

2.3.3 成核

2.3.4 连续膜的形成

2.4 薄膜生长的三种模式

2.5 固态薄膜的结构和缺陷

2.6 固体薄膜的性质

2.7 固体薄膜应力

2.8 薄膜与基体的附着力

2.9 基体

第三章 真空蒸发镀膜

3.1 真空蒸发镀膜原理

3.2 电阻蒸发源

3.2.1 电阳蒸发源的原理

3.2.2 电阻蒸发源的结构

3.2.3 电阻加热源的主要特点

3.2.4 电阻加热真空蒸发镀的应用

3.3 电子束蒸发源

3.3.1 e型电子枪的原理和结构

3.3.2 e型电子枪蒸发源的特点

3.3.3 e型电子枪真空蒸发镀的应用

3.4 感应加热蒸发源

3.4.1 感应加热蒸发源的原理

3.4.2 感应加热蒸发源的特点

3.5 脉冲激光沉积(PLD)

3.5.1 PLD系统

3.5.2 PLD工作原理

3.5.3 PLD技术特点

3.5.4 PLD应用和发展

3.6 分子束外延

3.6.1 分子柬外延原理

3.6.2 分子束外延装置

3.6.3 分子束外延特点

3.6.4 分子束外延技术应用及进展

3.7 真空蒸发镀膜中的重要参数

3.8 蒸发镀中基体上沉积的膜的厚度均匀性

3.8.1 单室蒸发镀薄膜均匀性计算

3.8.2 蒸发源与基片的相对位置对薄膜均匀性的影响

参考文献

第四章 真空溅射镀膜

4.1 直流二极辉光放电

4.2 等离子体

4.3 溅射原理

4.4 直流溅射镀膜

4.4.1 直流二极溅射镀膜

4.4.2 直流二极偏压溅射镀膜

4.4.3 直流多极溅射镀膜

4.5 直流磁控溅射镀膜

4.5.1 磁控溅射镀膜原理及特点

4.5.2 柱状靶

4.5.3 平面靶

4.5.4 S枪

4.5.5 磁控溅射镀膜一般特征

4.5.6 直流反应磁控溅射镀膜

4.6 射频溅射镀膜

4.6.1 射频辉光放电

4.6.2 射频溅射镀膜

4.7 中频磁控溅射镀膜

4.8 脉冲直流辉光放电镀膜

4.9 非平衡磁控溅射镀膜

4.10 真空蒸发和溅射镀膜参数与薄膜形貌关系

参考文献

第五章 真空离子

5.1 等离子体离子镀概述

5.1.1 等离子体离子镀原理

5.1.2 等离子体离子镀特点

5.1.3 等离子体离子镀分类

5.2 等离子体蒸发离子

5.2.1 e型电子枪蒸发离子

5.2.2 空心阴极放电离子

5.2.3 等离子体激活蒸发离子

5.2.4 等离子体激活高速离子

5.3 等离子体磁控溅射离子

5.3.1 磁控溅射离子

5.3.2 离化的磁控溅射离子

5.3.3 高能脉冲磁控溅射离子

5.3.4 自溅射

5.3.5 空心阴极辅助的高密度溅射离子

5.4 电弧离子

5.4.1 阴极电弧离子

5.4.2 脉冲偏压电弧离子

5.4.3 阳极电弧离子

5.5 束流离子

5.5.1 离子束沉积

5.5.2 团簇离子束沉积

5.5.3 离子束辅助沉积

参考文献

第六章 化学气相沉积

6.1 概述

6.2 化学气相沉积的动态过程

6.3 几种常见的化学气相沉积

6.3.1 热化学气相沉积

6.3.2 低压化学气相沉积

6.3.3 等离子体增强型化学气相沉积

6.3.4 原子层沉积

6.3.5 其他化学气相沉积简介

参考文献