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Semiconductor Science And Technology是工程技术领域的一本优秀期刊。由IOP PUBLISHING LTD出版社出版。该期刊主要发表工程技术领域的原创性研究成果。创刊于1986年，该期刊主要刊载工程技术-材料科学：综合及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展，更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准，确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外，该刊同时被SCI,SCIE数据库收录，并被划分为中科院SCI4区期刊，它始终坚持创新，不断专注于发布高度有价值的研究成果，不断推动工程技术领域的进步。
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| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 是 | 是 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 是 | 是 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 是 | 是 |
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 | 3区 4区 4区 | 是 | 是 |
| JCR 分区等级 | JCR 学科 | 分区 |
| Q3 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | Q3 |
| MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | Q4 | |
| PHYSICS, CONDENSED MATTER | Q3 |
| 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics | Q2 | 179 / 423 |
57% |
| 大类：Physics and Astronomy 小类：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 317 / 738 |
57% |
| 大类：Physics and Astronomy 小类：Materials Chemistry | Q2 | 141 / 306 |
54% |
| 大类：Physics and Astronomy 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 139 / 271 |
48% |
| 年份 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 |
| 年发文量 | 392 | 338 | 293 | 295 | 274 | 283 |
| 综述量 | 11 | 17 | 14 | 45 | 31 | 4 |
| 文章量 | 381 | 321 | 279 | 250 | 243 | 279 |
| 国家/地区 | 数量 |
| CHINA MAINLAND | 257 |
| USA | 139 |
| India | 121 |
| GERMANY (FED REP GER) | 95 |
| South Korea | 90 |
| England | 64 |
| Japan | 64 |
| France | 55 |
| Russia | 52 |
| Taiwan | 31 |
| 文章名称 | 引用次数 |
| beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics | 59 |
| Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues | 53 |
| Metal oxide nanostructures for sensor applications | 29 |
| How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches | 28 |
| Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art | 21 |
| Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk | 19 |
| Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells | 18 |
| Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers | 17 |
| A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material | 15 |
| The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides | 15 |
SCI SCIE
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