Semiconductors
人气:1

Semiconductors SCISCIE

  • ISSN:1063-7826
  • 出版商:PLEIADES PUBLISHING INC
  • 出版语言:English
  • E-ISSN:1090-6479
  • 出版地区:RUSSIA
  • 是否预警:
  • 创刊时间:1997
  • 出版周期:Monthly
  • TOP期刊:
  • 影响因子:0.641
  • 是否OA:未开放
  • CiteScore:1.6
  • H-index:37
  • 研究类文章占比:99.40%
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • 出版修正文章占比:0.0035...
  • 国际标准简称:SEMICONDUCTORS+
  • 涉及的研究方向:物理-物理:凝聚态物理
  • 中文名称:半导体
  • 预计审稿周期:一般,3-6周
国内分区信息:

大类学科:物理与天体物理  中科院分区  4区

国际分区信息:

JCR学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER  JCR分区  Q4

  • 影响因子:0.641
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • CiteScore:1.6
  • 研究类文章占比:99.40%

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Semiconductors 期刊简介

Semiconductors是物理与天体物理领域的一本优秀期刊。由PLEIADES PUBLISHING INC出版社出版。该期刊主要发表物理与天体物理领域的原创性研究成果。创刊于1997年,该期刊主要刊载物理-物理:凝聚态物理及其基础研究的前瞻性、原始性、首创性研究成果、科技成就和进展。该期刊不仅收录了该领域的科技成就和进展,更以其深厚的学术积淀和卓越的审稿标准,确保每篇文章都具备高度的学术价值。此外,该刊同时被SCI,SCIE数据库收录,并被划分为中科院SCI4区期刊,它始终坚持创新,不断专注于发布高度有价值的研究成果,不断推动物理与天体物理领域的进步。

同时,我们注重来稿文章表述的清晰度,以及其与我们的读者群体和研究领域的相关性。为此,我们期待所有投稿的文章能够保持简洁明了、组织有序、表述清晰。该期刊平均审稿速度为平均一般,3-6周。若您对于稿件是否适合该期刊存在疑虑,建议您在提交前主动与期刊主编取得联系,或咨询本站的客服老师。我们的客服老师将根据您的研究内容和方向,为您推荐最为合适的期刊,助力您顺利投稿,实现学术成果的顺利发表。

Semiconductors 期刊国内分区信息

中科院分区 2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
中科院分区 2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
中科院分区 2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
中科院分区 2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区

Semiconductors 期刊国际分区信息

JCR 分区等级 JCR 学科 分区
Q4 PHYSICS, CONDENSED MATTER Q4

CiteScore指数

  • CiteScore:1.60
  • SJR:0.261
  • SNIP:0.341
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q3 317 / 423

25%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 206 / 271

24%

大类:Physics and Astronomy 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 163 / 211

22%

期刊评价数据趋势图

中科院分区趋势图
期刊影响因子和自引率趋势图

发文统计

年发文量统计
年份 2020 2019 2018 2017 2016 2015
年发文量 324 394 410 323 311 314
综述量 3 2 0 2 3 2
文章量 321 392 410 321 308 312

高引用文章

文章名称 引用次数
Experimental Observation of Dyakonov Plasmons in the Mid-Infrared 9
Thick -Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy 7
Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation 6
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate 5
Heterostructures of Single-Wavelength and Dual-Wavelength Quantum-Cascade Lasers 5
Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires 5
Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetectors with Schottky Barriers 5
Microstructure and Optical Bandgap of Cobalt Selenide Nanofilms 5
Discovery of III-V Semiconductors: Physical Properties and Application 5
Ultrasonic-Assisted Exfoliation of Graphitic Carbon Nitride and its Electrocatalytic Performance in Process of Ethanol Reforming 5

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。

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